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厂商型号

MRF6V2010NBR1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 110V 3-Pin TO-272 EP T/R

内部编号

146-MRF6V2010NBR1

订购说明

质量保障

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MRF6V2010NBR1产品详细规格

规格书 MRF6V2010NBR1 datasheet 规格书
MRF6V2010NBR1 datasheet 规格书
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 500
晶体管类型 LDMOS
频率 220MHz
增益 23.9dB
电压 - 测试 50V
额定电流 2.5mA
噪声系数 -
电流 - 测试 30mA
Power - 输出功率 10W
电压 - 额定 110V
包/盒 TO-272BC
供应商器件封装 TO-272-2
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-272 EP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 110 V
最大门源电压 -5|10 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
包装宽度 6.4(Max)
PCB 3
最大漏源电压 110
最大频率 450
欧盟RoHS指令 Compliant
Typical Drain Efficiency 62
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
典型功率增益 23.9
供应商封装形式 TO-272
标准包装名称 TO-272
最高工作温度 225
输出功率 10
渠道类型 N
典型输入电容@ VDS 16.3@50V
包装长度 23.67(Max)
引脚数 3
包装高度 2.64(Max)
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 110V
供应商设备封装 TO-272-2
电压 - 测试 50V
频率 220MHz
增益 23.9dB
封装/外壳 TO-272BC
电流 - 测试 30mA
额定电流 2.5mA
功率 - 输出 10W
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
其他名称 MRF6V2010NBR1CT
工作温度范围 -65C to 225C
包装类型 TO-272 EP
元件数 1
操作模式 CW
筛选等级 Military
弧度硬化 No
驻波比(Max ) 10
频率(最大) 450 MHz
频率(最小值) 10 MHz
输入电容(典型值) @ VDS 16.3@50V pF
输出电容(典型值) @ VDS 7.3@50V pF
功率增益(典型值) @ VDS 23.9 dB
漏极效率(典型值) 62 %
反向电容(典型值) 0.13@50V pF
输出功率(最大) 10W
漏源电压(最大值) 110 V

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